Siliziumkarbid wird durch ein Verfahren hergestellt, bei dem Siliciumdioxid (SiO2) in Form von Quarz mit Kohlenstoff (C) in Form von Rohpetrolkoks elektrochemisch reagiert. Die stöchiometrische Mischung wird in einem elektrischen Widerstandsofen bei einer Temperatur von bis zu 2500 Grad Celsius zur Reaktion gebracht, um hochwertige Kristalle zu erhalten. Das Verfahren wird mit Großofentechnologie durchgeführt, in deren Mitte sich eine Graphitelektrode befindet. Die großen Kristalle werden dann getrennt, zerkleinert, in Hochleistungsmagnetabscheidern von magnetischen Verunreinigungen gereinigt und in kleine Größenfraktionen unterteilt, um sie für die Endverwendung zu verwenden.
| TYPISCHE CHEMISCHE ANALYSE | TYPISCHE PHISIKALISCHE EIGENSCHAFTEN | ||
| SiC | ≥98 % | Härte: | Mohs:9,15 |
| SiO2 | ≤1 % | Schmelzpunkt: | Sublimiert bei 2250 ℃ |
| H2O3 | ≤ 0,5 % | Maximale Gebrauchstemperatur: | 1900℃ |
| Fe2O3 | ≤ 0,3 % | Spezifisches Gewicht: | 3,2-3,45 g/cm3 |
| FC | ≤ 0,3 % | Schüttdichte (LPD): | 1,2-1,6 g/cm3 |
| Magnetischer Inhalt | ≤ 0,02 % | Farbe: | Schwarz |
| Partikelform: | Sechseckig | ||
Partikelgrößenverteilung von schwarzem Siliziumkarbid-Mikropulver gemäß JIS-Körnung.
| JIS-Körnung | D0 (Mikron) | D3 (Mikron) | D50 (Mikron) | D94 (Mikron) |
| #240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 57,0 ± 3,0 | ≥ 40 |
| #280 | ≤ 112 | ≤ 87 | 48,0 ± 3,0 | ≥ 33 |
| #320 | ≤ 98 | ≤ 74 | 40,0 ± 2,5 | ≥ 27 |
| #360 | ≤ 86 | ≤ 66 | 35,0 ± 2,0 | ≥ 23 |
| #400 | ≤ 75 | ≤ 58 | 30,0 ± 2,0 | ≥ 20 |
| #500 | ≤ 63 | ≤ 50 | 25,0 ± 2,0 | ≥ 16 |
| #600 | ≤ 53 | ≤ 41 | 20,0 ± 1,5 | ≥ 13 |
| #700 | ≤ 45 | ≤ 37 | 17,0 ± 1,5 | ≥ 11 |
| #800 | ≤ 38 | ≤ 31 | 14,0 ± 1,0 | ≥ 9,0 |
| #1000 | ≤ 32 | ≤ 27 | 11,5 ± 1,0 | ≥ 7,0 |
| #1200 | ≤ 27 | ≤ 23 | 9,5 ± 0,8 | ≥ 5,5 |
| #1500 | ≤ 23 | ≤ 20 | 8,0 ± 0,6 | ≥ 4,5 |
| #2000 | ≤ 19 | ≤ 17 | 6,7 ± 0,6 | ≥ 4,0 |
| #2500 | ≤ 16 | ≤ 14 | 5,5 ± 0,5 | ≥ 3,0 |
| #3000 | ≤ 13 | ≤ 11 | 4,0 ± 0,5 | ≥ 2,0 |
| #4000 | ≤ 11 | ≤ 8,0 | 3,0 ± 0,4 | ≥ 1,8 |
